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三星10nm技术领先台积电7nm能反超吗?
2021-04-01 [7701]

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14/16nmFinFET工艺之争以三星领先结束,10nm工艺台湾积体电路制造和三星之争现在明显是三星领先,笔者预计7nm工艺中三星也有可能再次领先! 在半导体代工市场上,台湾积体电路制造依然以先进的技术而闻名,三星为了领导台湾积体电路制造的自由选择必须开发14nmFinFET技术以跳过20nm技术。 虽然台湾积体电路制造首先开发了16nm技术,但由于能效并不差,所以不得不比20nm技术改良,引进了FinFET技术,三星已经顺利构筑了领先地位。 2015年三星年初顺利量产了14 NMFINFIFFET工艺,但台湾积体电路制造的16nmFinFET工艺延期到同年3季度。 在台湾积体电路制造顺利量产16 NMFINFFET工艺后,优先照顾苹果作为生产A9处理器使用,但协助开发16 NMFINFFET工艺的华为海思则没有得到礼遇,直到11月初公布使用该工艺的麒麟950芯片。

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因此双方希望着眼于10nm和7nm的工艺,谋求再生产。 在过去的一年里,台媒体反复宣布台湾积体电路制造10nm工艺进展缓慢,最后于去年10月三星宣布在自家10nm工艺月批量生产,使用该工艺生产高通配偶835芯片,再次领先台湾积体电路制造。

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在MWC2017中,在联合发科大力宣传使用台湾积体电路制造的10nm工艺生产的helioX30芯片,但之后不知道哪个手机企业不用这个芯片。 使用三星10nm工艺生产的骏龙835被中兴和索尼使用在MWC2017上展示,预计4月三星使用该芯片的高端手机galaxyS8将不会大规模发售,其实与这次的Samsung相比很高现在三星和台湾积体电路制造正在大力推进它们的7nm工艺进行批量生产,各方面的情报表明它们有可能在今年年底或明年初批量生产7nm工艺。

在最重要的EUV (接近紫外光微影)设备方面,三星在2016年从ASML订购EUV设备花费了1.78亿美元,台湾积体电路制造计划在今年1月安装EUV设备,在这方面前者领先了一步。。

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